smart phone | article center | liz electronics (kunshan) co., ltd.-ag九游会登录j9入口

smart phone

home > industry application > communication broadcast > smart phone

application overview

the communication technology market is developing rapidly, summarizing the development of new chip components, focusing on the miniaturization, high frequency and precision technology of components, and the application and development of mobile communication systems such as smart phones, gps, w-lan, and bluetooth.

smart phone

high power resistance
- series：ur
  power (w)：1/8w~1w
  specification：0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：pls see detail in datasheet
- series：ch
  power (w)：1/10w~2w
  specification：0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：0.05ω~1ω
- series：ch
  power (w)：1/10w~2w
  specification：0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 2% 5%
  block：1ω~10mω
chip thick film resistor
- series：rc
  power (w)：1/10w~1/4w
  specification：0603（1608） 0805（2012） 1206（3216）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 2% 5%
  block：47ω~10mω
- series：rl
  power (w)：1/20w~1w
  specification：0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：0.1% 0.5%1% 5%
  block：1ω~1mω
- series：cr
  power (w)：1/8w~1/4w
  specification：0805（2012） 1206（3216）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 2% 5%
  block：1ω~10mω
- series：ca
  power (w)：1/16w~1/10w
  specification：ca024a ca034a
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：1ω~1mω
- series：cr
  power (w)：1/16w~1w
  specification：0402~2512
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：0.02ω~1ω
- series：pf
  power (w)：1/20w~1w
  specification：0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：0.1% 0.5%1% 2% 5%
  block：1ω~22mω
- series：cr
  power (w)：1/20w~1w
  specification：01005（0402） 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2012） 1206（3216） 1210（5025） 2512（6432）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：0.1% 0.5% 1% 5%
  block：1ω~100mω
alloy foil chip resistor
- series：ra
  power (w)：1/8w
  specification：0201（0603）
  temperature coefficient：±150ppm/℃
  accuracy：1% 2% 5%
  block：3mω~4mω
alloy chip resistor
- series：rm
  power (w)：1w
  specification：2512（6432）
  temperature coefficient：±50ppm/℃
  accuracy：1% 2% 5%
  block：1mω~50mω
low resistance low tc high power thick film chip resistor
- series：ur
  power (w)：3/4w
  specification：1210（3225）
  temperature coefficient：±250ppm/℃ ±100ppm/℃
  accuracy：1% 5%
  block：0.010ω~0.030ω 0.033ω~0.910ω
low resistance high power thick film resistor
- series：ch
  power (w)：1/8w
  specification：0603（1608）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：0.05ω~1ω(不含)
low resistance thick film chip resistors
- series：cr
  power (w)：1/16w
  specification：0402（1005）
  temperature coefficient：pls see detail in datasheet
  accuracy：1% 5%
  block：0.025ω~1ω
chip zener diode
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：2.4v~75v (2.4vonly 5%）
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：depending on voltage
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：2.4v~75v (2.4vonly 5%）
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：depending on voltage
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：2.4v~75v (2.4vonly 5%）
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：depending on voltage
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：2.4v~75v (2.4vonly 5%）
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：depending on voltage
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：2.4v~75v (2.4vonly 5%）
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：depending on voltage
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：5.1v~5.6v
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：<100
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：5.1v~5.6v
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：<100
- number of channels：1
  spilled power mw：mw
  repeated recovery current：200
  forward voltage v：v(max.)
  zener voltage range：5.1v~5.6v
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：5
  maximum zener impedance (ω)：depending on voltage
  maximum zener impedance (ma)：1
  maximum reverse leakage current (ua))：<100
switching diode
- maximum reverse voltage (v)：75
  average rectified forward current (a)：0.15
  forward voltage (v)：1 @ if=50ma
  reverse current (ua)：0.025 @ vr=20v 2.5 @ vr=75v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.46 @ if=10ma
  reverse current (ua)：0.3 @ vr=10v
  package：dfn1006-2
schottky diodes
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.37 @ if=10ma
  reverse current (ua)：7 @ vr=10v
  package：dfn0603-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.46 @ if=10ma
  reverse current (ua)：0.3 @ vr=10v
  package：dfn0603-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.29 @ if=10ma 0.30 @ if=20ma 0.40 @ if=100ma
  reverse current (ua)：30 @ vr=30v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.51 @ if=100ma
  reverse current (ua)：1 @ vr=10v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：40
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.34 @ if=10ma 0.55 @ if=100ma
  reverse current (ua)：10 @ vr=10v 40 @ vr=40v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：40
  average rectified forward current (a)：0.1
  forward voltage (v)：0.36 @ if=10ma 0.51 @ if=100ma
  reverse current (ua)：1 @ vr=10v 5 @ vr=40v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.2
  forward voltage (v)：0.50 @ if=200ma
  reverse current (ua)：10 @ vr=10v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.2
  forward voltage (v)：0.60 @ if=200ma
  reverse current (ua)：1 @ vr=10v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：40
  average rectified forward current (a)：0.2
  forward voltage (v)：0.33 @ if=10ma 0.52 @ if=200ma
  reverse current (ua)：10 @ vr=10v 40 @ vr=40v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：40
  average rectified forward current (a)：0.2
  forward voltage (v)：0.36 @ if=10ma 0.60 @ if=200ma
  reverse current (ua)：1 @ vr=10v 5 @ vr=40v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：20
  average rectified forward current (a)：0.5
  forward voltage (v)：0.27 @ if=10ma 0.46 @ if=500ma
  reverse current (ua)：20 @ vr=10v 30 @ vr=20v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：30
  average rectified forward current (a)：0.5
  forward voltage (v)：0.27 @ if=10ma 0.46 @ if=500ma
  reverse current (ua)：20 @ vr=10v 40 @ vr=30v
  package：dfn1006-2
- maximum reverse voltage (v)：40
  average rectified forward current (a)：0.5
  forward voltage (v)：0.27 @ if=10ma 0.46 @ if=500ma
  reverse current (ua)：20 @ vr=10v 50 @ vr=40v
  package：dfn1006-2
antistatic surge diode
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：5.6
  leakage current (na)：10
  antistatic ability (contact) (kv)：±25
  antistatic ability (gap) (kv)：±30
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：3.5
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：3.5
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：10
  package：dfn0603-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±19
  antistatic ability (gap) (kv)：±19
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：2
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：12 @ipp=1a 15 @ipp=2a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.6
  package：dfn0603-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：3.3
  breakdown voltage (v)：3.5
  leakage current (na)：1000
  antistatic ability (contact) (kv)：±30
  antistatic ability (gap) (kv)：±30
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：15
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：6.0 @ipp=1a 12 @ipp=15a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：30
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：3.3
  breakdown voltage (v)：4
  leakage current (na)：1000
  antistatic ability (contact) (kv)：±12
  antistatic ability (gap) (kv)：±20
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：5
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：5.5 @ipp=1a 8.0 @ipp=5a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：10
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±30
  antistatic ability (gap) (kv)：±30
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：7.9
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：9.0 @ipp=1a 17.5 @ipp=7.9a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：20
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±8
  antistatic ability (gap) (kv)：±15
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：2
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：14 @ipp=1a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.6
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：100
  antistatic ability (contact) (kv)：±8
  antistatic ability (gap) (kv)：±15
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：2
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：12 @ipp=1a 17 @ipp=2a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：10
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±8
  antistatic ability (gap) (kv)：±15
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：2
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：14 @ipp=1a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.3
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：1000
  antistatic ability (contact) (kv)：±8
  antistatic ability (gap) (kv)：±15
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：10
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：13.5 @ipp=10a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：80
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±18
  antistatic ability (gap) (kv)：±20
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：3.6
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：12 @ipp=1a 20 @ipp=3a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.5
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：12
  breakdown voltage (v)：14.6
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±8
  antistatic ability (gap) (kv)：±16
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：6
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：19 @ipp=1a 25 @ipp=6a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：30
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：12
  breakdown voltage (v)：13.3
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±30
  antistatic ability (gap) (kv)：±30
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：5
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：19 @ipp=1a 24 @ipp=5a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：60
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：24
  breakdown voltage (v)：26.5
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±25
  antistatic ability (gap) (kv)：±25
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：3
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：36 @ipp=1a 42 @ipp=3a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：30
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：24
  breakdown voltage (v)：26.5
  leakage current (na)：50
  antistatic ability (contact) (kv)：±25
  antistatic ability (gap) (kv)：±25
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：3
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：36 @ipp=1a 42 @ipp=3a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：35
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：36
  breakdown voltage (v)：40
  leakage current (na)：100
  antistatic ability (contact) (kv)：±25
  antistatic ability (gap) (kv)：±25
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：1.5
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：58 @ipp=1a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：20
  package：dfn1006-2
- number of channels：1
  starting voltage (v)：36
  breakdown voltage (v)：40
  leakage current (na)：100
  antistatic ability (contact) (kv)：±25
  antistatic ability (gap) (kv)：±25
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：1.5
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：58 @ipp=1a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：30
  package：dfn1006-2
- number of channels：4
  starting voltage (v)：3.3
  breakdown voltage (v)：3.4
  leakage current (na)：100
  antistatic ability (contact) (kv)：±8
  antistatic ability (gap) (kv)：±15
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：4
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：8 @ipp=1a 10 @ipp=3a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.65
  package：dfn2510-10
- number of channels：4
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：1000
  antistatic ability (contact) (kv)：±12
  antistatic ability (gap) (kv)：±17
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：5
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：15 @ipp=1a 25 @ipp=5a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.8
  package：dfn2510-10
- number of channels：4
  starting voltage (v)：5
  breakdown voltage (v)：6
  leakage current (na)：1000
  antistatic ability (contact) (kv)：±12
  antistatic ability (gap) (kv)：±17
  maximum peak pulse current (a) tp = 8/20 μs：3.4
  clamping voltage (v) tp = 8/20 μs：15 @ipp=1a 25 @ipp=3.4a
  capacitance (pf) i/o-gnd vr=0v, f=1mhz：0.4
  package：dfn2510-10